IPP65R125C7XKSA1，英飞凌MOSFET原装供货

汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合，我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始，到 10mm x 15mm 的尺寸，您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装，以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD60R180P7ATMA1
IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R280P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R450E6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600E6BTMA1
IPD60R600P7ATMA1
IPD60R650CEAUMA1
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R800CEAUMA1
IPD60R950C6ATMA1
原装承诺，合作共赢！

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”，指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS（开启）.第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界佳的品质因数（FOM）以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
更多型号请联系，网站内手机，期待你的合作！

P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择，包括B保护， 崇敬极性保护， 线性电池充电器， 负载开关，直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA60R460CEXKSA1
IPA60R600CPXKSA1
IPA60R600E6XKSA1
IPA60R650CEXKSA1
IPA65R045C7XKSA1
IPA65R065C7XKSA1
IPA65R095C7XKSA1
IPA65R125C7XKSA1
IPA65R190C7XKSA1
IPA65R190E6XKSA1
IPA65R1K5CEXKSA1
IPA65R225C7XKSA1
IPA65R280E6XKSA1
IPA65R380E6XKSA1
IPA65R400CEXKSA1
IPA65R650CEXKSA1
IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K2P7XKSA1
IPA80R1K4CEXKSA2
IPA80R1K4P7XKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！

P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1
IPA60R125C6XKSA1
IPA60R125CPXKSA1
IPA60R125P6XKSA1
IPA60R160C6XKSA1
IPA60R160P6XKSA1
IPA60R160P7XKSA1
IPA60R190C6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1
IPA60R230P6XKSA1
IPA60R280C6XKSA1
IPA60R280E6XKSA1
IPA60R299CPXKSA1
IPA60R380E6XKSA1
IPA60R380P6XKSA1
IPA60R400CEXKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此，我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，适用于任何功率器件，和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPP07N60C3XKSA1
SPP08N50C3XKSA1
SPP08N80C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1
SPP15N65C3XKSA1
SPP17N80C3XKSA1
SPP18P06PHXKSA1
SPP20N60S5XKSA1
SPP21N50C3XKSA1
SPP24N60C3XKSA1
SPP80P06PHXKSA1
SPS01N60C3BKMA1
SPS04N60C3AKMA1
SPW11N80C3FKSA1
SPW15N60C3FKSA1
SPW16N50C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1
SPW20N60C3FKSA1
SPW24N60C3FKSA1
英飞凌常用型号常备现货，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！