肖特基二极体大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大,像使用硅及金属为材料的肖特基二极体,其反向偏压额定耐压高只到50V,而反向漏电流值为正温度特性,容易随着温度升高而急遽变大,实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题,肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步,其反向偏压的额定值大可以到200V。
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。
肖特基二极管,也被称为肖特基势垒二极管或热载流子二极管,是一种利用金属与半导体接触形成的具有整流特性的器件。与传统的PN结二极管相比,肖特基二极管具有更低的正向压降和更快的开关速度,使其在高频、低功耗领域具有广泛的应用前景。
肖特基二极管作为一种特的半导体器件,在PCB电路设计与SMT贴片生产制造中具有广泛的应用前景。通过深入了解肖特基二极管的特性、优势和应用场景,我们可以更好地利用这一器件,提高电路性能和可靠性。
肖特基二极管能够在电路中起到以下作用:
高速开关:具有快速响应、低压降等特性,被广泛应用于射频等高频场合。
稳压、稳流:阻抗随电压变化小,因此可用于制作精度高的稳定电源和限流器等,同时由于反向漏电流很小,也适用于检测电路。
信号检测:由于二极管具有阻挡电容特性,在高频条件下可作为功率检测器、频谱分析仪等设备的输入元件。
LOW VF肖特基二极管的结构和特性使其适用于低电压和大电流输出场合的高频整流,甚高频(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)的检测和混频,以及高速逻辑电路中的箝位。LOW VF肖特基二极管也常用于集成电路,如肖特基二极管。TTL集成电路长期以来一直是TTL电路的主流,并广泛应用于高速计算机中。