TPS3620-33DGKT，TI汽车级芯片

TI德州仪器电池管理 IC电池充电管理芯片部分型号参数性能：
BQ25629RYKR
具有 USB 检测和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25628 具有升压模式和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25629 具有 USB 检测和 ADC 的 I²C 控制型 18V 大输入、2A 单节电池充电器
BQ25622 具有 18V 大输入、电流限制、ADC 和 OTG 的 I²C 控制型单芯 3.5A 降压电池充电器
更多型号：
LM61480Q4RPHRQ1 PTH04000WAZT
CDCM9102RHBR LMV324MTX/NOPB
SN74LV4T125PWR TMP75CQDGKRQ1
TPS73218DCQR BQ25505RGRT
REF3325AIDCKT TPS23750PWP
F28384DZWTQR TPS51220ARTVT
LV2862YDDCR MSP430F169IRTDR
LM4050QAIM3-2.0/NOPB TLV61220DBVR
SN74LVC1G14DRYR ISO7142CCDBQ
TPS73733DCQR TPS5420MDREP
SN74AUC1G08DRLR TMP461AIRUNT-S
OPA2170AIDCUT TUSB211IRWBR

TI德州仪器电池管理电池保护器
部分型号主要参数特性：
BQ77207 3 系列至 7 系列锂离子电池、内部延迟计时器、电压和温度保护器
BQ77216 具有内部延迟计时器、适用于 3 节至 16 节串联锂离子电池的电压和温度保护器
BQ77915 具有电池自主平衡功能的 3 节至 5 节串联可堆叠低功耗初级保护器
BQ2980 适用于单节锂离子和锂聚合物电池的高侧保护器
BQ294533 适用于 2 节和 3 节锂离子电池的过压保护
BQ77904 3-4S 低功耗保护器
BQ2962 适用于 2 节、3 节和 4 节串联锂离子电池的过压保护

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A

TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询：
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TI德州仪器电源管理-MOSFET管
N 沟道 MOSFET
P 沟道 MOSFET
CSD95420RCB:
50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power
51-CSD95372AQ5M:
具有温度感应功能的 60A 同步降压 NexFET™ 功率级
部分同类产品：
CSD95420RCB - 50-A peak continuous synchronous buck NexFET™ smart power stage
CSD95410RRB - 90A 峰值连续同步降压 NexFET™ 智能功率级
CSD96497Q5MC - 采用 DualCool 封装的 65A 同步降压 NexFET 智能功率级
CSD95485RWJ - 采用业界通用封装的 75A NexFET™ 同步降压智能功率级

TPS61029QDRCRQ1
符合 AEC-Q100 标准的 0.9V 至 5.5V 输入范围、1.8A 升压转换器
封装信息
封装 | 引脚
VSON (DRC) | 10
工作温度范围 (°C)
-40 to 125
包装数量 | 包装
3,000 | LARGE T&R
TI/德州仪器电源管理芯片型号多，规格齐，需要具体型号请咨询。
其他部分型号有：
TPS78408QDBVRQ1
TPS74630PQWDRBRQ1
TPS74613PQWDRBRQ1
TPS6565342RHDTQ1
TPS61251DSGT
TPS22990DMLT
LMX2595RHAR
DAC8734SPFBR
TCAN334D
REF3430QDGKRQ1
TPS62130ARGTR