XP075PCE120AM1E3（75A1200V）国产IGBT模块

深圳市三佛科技有限公司供应XP075PCE120AM1E3（75A 1200V）国产IGBT模块，原装现货

在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。

a. 电流规格

IGBT模块的集电极电流增大时，VCE上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，元件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150℃以下（通常为安全起见，以125℃以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。

一般来说，要将集电极电流的大值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。

b.电压规格

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。例如单相220Vac 输入，会选择IGBT 600~650V 耐压、三相380Vac 输入，会选择IGBT 1200V 耐压的元件。

IGBT的VGE耐压值为±20V(电压尖峰不可超过±30V)，如在IGBT模块加上超出耐压值的电压，将会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间，需确保不超出耐压值的电压。

在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路处于高阻抗状态（栅极处于开路状态），在主回路上加上驱动电压时，则IGBT有很大概率会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极-发射极之间并联一只10kΩ左右的电阻为宜。

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由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

在应用中有时虽然了栅极驱动电压没有超过栅额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

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